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鑫华半导体1500吨硅基电子特气项目开工!
发布日期: 2023-08-25 16:24:06 来源: 面包芯语

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文

8月22日,鑫华半导体1500吨硅基电子特气项目开工仪式举行。


(资料图片仅供参考)

鑫华半导体消息显示,该项目占地面积约500平方米,将于11月进行系统调试安装,12月底完成试生产。

电子特气是半导体、微电子、集成电路等电子信息产业的关键原材料。鑫华半导体依托自身闭环成套化的电子级多晶硅工艺生产技术,在生产电子级多晶硅的同时得到三氯氢硅,经过特气充装站过滤得到高纯电子级三氯氢硅,大幅降低生产制造成本。项目建成后将进一步提高原料利用率。

此外,鑫华半导体官方消息显示,未来将专注于高端气体的开发研究,打造规模化产业集群,致力于成为高纯硅基电子特气业务领军企业。

鑫华半导体是国内率先系统掌握高纯电子级多晶硅制备技术的企业,该公司产品已通过国内大部分领先的半导体硅片厂商认证,并形成规模化销售,实现硅部件从特制尺寸到12寸硅片生产的全覆盖。

来源:集微网

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展

SiC与GaN器件与下游应用

功率器件封装技术与材料

新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

工业参观与考察(重点企业或园区)

最新日程如下

会议日程

宽禁带器件应用中的机遇与挑战(题目暂定)

——厦门三安光电有限公司(已定)

中国第三代半导体产业布局情况(题目暂定)

——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(已定)

SiC单晶生长技术浅析及应用展望(题目暂定)

——山西烁科晶体有限公司(已定)

国产碳化硅功率器件机遇和挑战(题目暂定)

——安徽芯塔电子科技有限公司(已定)

国产SiC MOSFET发展要点浅析

——泰科天润半导体科技(北京)有限公司(已定)

用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案(题目暂定)

——深圳基本半导体有限公司(已定)

大尺寸碳化硅单晶工艺控制

——山东天岳先进材料科技有限公司(待定)

碳化硅晶体的生长技术,PVT法及液相法

——中国电子科技集团公司第二研究所(待定)

大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点

——上海积塔半导体有限公司(待定)

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

——南方科技大学(待定)

氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展

——东莞中镓半导体科技有限公司(待定)

中国第三代半导体供应链现状

——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(待定)

GaN在车用功率半导体的应用

——苏州晶方半导体科技股份有限公司(待定)

*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新,最终版以会场发布为准。

若您有意向参与演讲、赞助或参会,欢迎联系我们!(见文末)

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